49 10 94 44 021
82 09876 0912
روزهای شنبه الی چهارشنبه از ساعت ۱۰ الی ۲۰

مرکز آموزش میکروتیک

مجری برگزاری دوره ها و آزمون های بین المللی میکروتیک
مرکز آموزش میکروتیک
۲۶ فروردین ۱۳۹۶

محاجرت الکتریکی و اسول عیب یابی سخت افزار میکروتیک

مهاجرت الکتریکی در ترکهای (خطوط) فلزی سازی تراشه Al (آلومینیوم) رخ می دهد. جریان الکترونی که از طریق ترکهای Al عبور می کند موجب تصادم الکترونها با دانه های Al می شود. به علت این برخوردها، دانه ها تغییر مکان می دهند و در جهت جریان الکترون حرکت می کنند. عرضهای خطی باریک، و دمای بالا علل اصلی مهاجرت الکتریکی هستند، که منتج به خطوط باز در جاهایی می شود که چگالی جریان در بالاترین حد خود است.
اتصال (پیوندزنی) مکانیسم از کار افتادگی است که از تضعیف تماسها بین سیمهای Au (طلا) و لایه های Al تراشه حاصل می شود. این حاصل درهم­آمیزی Au–Al بود که موجب اتصالات باز می شود.
آلایندگی یونی حاصل یونهای سیال در ماده نیمه هادی است و یک مکانیسم از کارافتادگی عمده برای دستگاههای MOS می باشد. یونهای Na+ به علت شعاع کوچکشان بیشترین سیالیت را دارند؛ آنها در اتمسفر، عرق و نفس عموما یافت می شوند. این یونها به اکسید گیت ترانزیستور FET جذب می شوند، که موجب یک تغییر در ولتاژ آستانه دستگاه می شود.
آلیاژسازی نیز شکلی از مهاجرت Al آلومینیوم به Si (سیلیکون) یا Si به Al می باشد. بسته به عمق اتصال و اندازه کنتاکت، از کار افتادگی خود را به صورت یک اتصال کوتاه یا کنتاکت باز بروز می دهد. با کوچکتر شدن هندسه های دستگاه، آلیاژسازی، به علت عمقهای آمیزش کوچکتر، مهمتر می شود.
تشعشع یک مکانیسم از کار افتادگی دیگر است که برای حافظه های دسترسی تصادفی دینامیک (DRAMها) اهمیت ویژه دارد. ناخالصیهای جزئی عناصر رادیواکتیو موجود در ماده بسته بندی تراشه ذرات آلفایی با انرژیهایی تا ۸ MeV ساطع می کنند. فعل و انفعالات این ذرات آلفا با ماده نیمه هادی منجر به تولید جفتهای الکترون-حفره می شود.

الکترونهای تولید شده از دستگاه عبور می کنند و قادر به زدودن بار ذخیره شده در یک سلول DRAM هستند، که موجب از بین رفتن اطلاعاتش می شود. این عل اصلی خطاهای نرم در DRAMها است. تحقیقات کنونی نشان داده اند که حافظه های دسترسی تصادفی استاتیک (SRAMها) نیز از خطاهای نرم حاصل از ذرات آلفا آسیب می بینند.